Name: onsemi FDMS3660S-F121
Brand: onsemi
SKU: FDMS3660S-F121
Availability: InStock
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onsemi FDMS3660S-F121

Artikelnummer:

FDMS3660S-F121

Hersteller / Marke:

AMI Semiconductor/onsemi

Teil der Beschreibung.:

MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN

Datenblätte:

1.FDMS3660S-F121.pdf ···: 2D -Zeichnungen
Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014.pdf EOL Notice 22/Feb/2017.pdf Logo 17/Aug/2017.pdf onsemi RoHS.pdf FDMS3660S.pdf

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Lead free / RoHs compliant

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DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~onsemi FDMS3660S-F121 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FDMS3660S-F121.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	2.7V @ 250µA
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	Power56
Serie	PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8mOhm @ 13A, 10V
Leistung - max	1W
Verpackung / Gehäuse	8-PowerTDFN
Paket	Tape & Reel (TR)
Befestigungsart	Surface Mount

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1765pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	29nC @ 10V
FET-Merkmal	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	13A, 30A
Konfiguration	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Grundproduktnummer	FDMS3660
FDMS3660S-F121 Einzelheiten PDF [English]	FDMS3660S-F121 PDF - EN.pdf

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Die Rückgaben müssen innerhalb von 60 Tagen nach dem Datum der Rechnung angefordert werden und enthalten:
- Originalrechnungsnummer
- Foto der Teile
- Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
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